近日，有消息稱，三星電子公司預(yù)計未來三年將投資70億美元，以提升其位于中國西安市的NAND內(nèi)存芯片生產(chǎn)。早在7月初，當三星電子公司宣布在韓國投資186億美元時，該公司曾表示它將在其西安的NAND工廠增加一條生產(chǎn)線。但是，當時并沒有確定投資額。不過，三星稱，“這筆投資旨在滿足中長期日益增長的NAND閃存芯片需求。”三星西安廠現(xiàn)有第一產(chǎn)線是在2014年興建，月產(chǎn)12萬片NAND內(nèi)存晶圓，若加上規(guī)劃中的第二產(chǎn)線，產(chǎn)量將達20萬片。

　　來自市場研究公司IHS最新研究數(shù)字顯示，三星電子公司在第二季度全球NAND閃存芯片營收中占據(jù)38.3%市場份額。中國正在設(shè)法開發(fā)自主內(nèi)存芯片生產(chǎn)線，但是要能夠和現(xiàn)有的內(nèi)存芯片制造商展開有力的競爭，可能還需要一段較長時間的等待。不過，中國手機廠商的快速崛起對于內(nèi)存芯片的需求卻很大，因此這個市場也預(yù)示著極大的發(fā)展機會。有消息稱，三星不斷地在中國大陸建廠并加大產(chǎn)能，主要是將生產(chǎn)較低端芯片，多數(shù)供應(yīng)于中國手機市場，而韓廠將專注于生產(chǎn)高端芯片。還有一種分析稱，3D NAND工藝難度高，且需求相當強勁，主要制造大廠均表示未來三年的產(chǎn)能仍無法供應(yīng)，因此三星增產(chǎn)3D NAND芯片，是看好在3D NAND芯片取得較佳機會，未來在這個市場將獲得更多的增長，不過隨著西部數(shù)據(jù)和東芝在芯片市場的收購即將塵埃落定，對于三星也構(gòu)成了一定的壓力。三星加大在中國市場的布局是不是也是在警惕著這種競爭變局的出現(xiàn)？

　　之前，三星電子就曾宣布，其最新64層256GB V-NAND快閃記憶體已進入量產(chǎn)。64層V-NAND快閃記憶體被稱為第四代V-NAND晶片，三星64層V-NAND快閃記憶體傳輸速度達每秒1Gb，市面上同類型記憶體產(chǎn)品中無人能出其右。若與48層產(chǎn)品相比，64層快閃記憶體的省電效能約高出三成，可靠性則增加約兩成。此外，三星還計劃推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4Tb容量。根據(jù)SIA的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導(dǎo)體的總銷售額為3400億美元，其中Logic器件的收入占最大頭，高達915億美元；存儲則緊跟其后，總營收為768億美元。在主流的存儲產(chǎn)品市場，三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士和Intel幾乎壟斷了全球所有的NAND Flash市場。

　　這樣看來，三星加大在中國西安的投資，背后的目的也在“隱約閃現(xiàn)”。畢竟，全球排名第二、第三的NAND芯片供應(yīng)商有可能成為一家。據(jù)悉，西部數(shù)據(jù)CEO正在東京敲定收購東芝內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的協(xié)議。西部數(shù)據(jù)和東芝計劃在8月31日之前宣布這項交易，屆時東芝董事會將召開會議。據(jù)悉，包括西部數(shù)據(jù)、美國私募股權(quán)公司KKR & Co及日本政府投資機構(gòu)在內(nèi)的一個集團，將為東芝內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)提供約1.9萬億日元(合173億美元)，西部數(shù)據(jù)通過可轉(zhuǎn)換債券發(fā)行了1500億日元。眾所周知，除了三星之外，東芝和西部數(shù)據(jù)都是全球閃存芯片巨頭。2016年第四季度數(shù)據(jù)顯示，東芝在全球NAND閃存市場份額為18.3%、僅次于三星電子的37.1%，西部數(shù)據(jù)市場份額為17.7%，排名第三。一旦二者合并，那么將“無限”接近三星的市場份額，這對三星來說，無疑是構(gòu)成了一定的壓力，擴大產(chǎn)能，加緊布局，提升技術(shù)拓展空間和成品率自然是三星追逐的目標。

　　東芝之所以要出售自己的閃存業(yè)務(wù)，其實也是有點無奈，畢竟，閃存芯片業(yè)務(wù)是東芝的優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)，東芝急于出售該業(yè)務(wù)是受資金壓力所迫。眾所周知，東芝此前通過收購西屋電氣進入美國核電建設(shè)市場，但西屋電氣因收購美國資產(chǎn)爆出重大失誤，導(dǎo)致東芝減記資產(chǎn)數(shù)十億美元，公司股價暴跌，并陷入資不抵債的境地。東芝2016財年年報顯示，截至2017年3月31日的2016財年，公司凈虧損達9657億日元(約合88億美元)。無奈之下，東芝急需出售閃存芯片業(yè)務(wù)彌補這一虧損，以避免公司在明年3月底在東京證券交易所退市。

　　之前，市場一度還有傳聞稱富士康、美國芯片制造商博通、貝恩資本牽頭的三大財團參與東芝閃存芯片業(yè)務(wù)的競購。據(jù)悉富士康牽頭的財團，包括蘋果、戴爾和金士頓等公司，其開出的收購價是3萬億日元(約合270億美元)。不過最終因為種種原因未果，如今西部數(shù)據(jù)的機會更大一些。而且二者合并之后，對三星的一股獨大勢必帶來極大的挑戰(zhàn)。

　　一旦西部數(shù)據(jù)能夠收購來東芝的閃存芯片業(yè)務(wù)，那么或許會迎來一次新的轉(zhuǎn)型。其實，西部數(shù)據(jù)曾經(jīng)歷過多次轉(zhuǎn)型，在過去十五年內(nèi)，共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一階段是從2002到2007年，西部數(shù)據(jù)對HDD機械硬盤運營模式以及發(fā)展方向進行整合；第二個階段是從2008到2015年，完成對HGST的收購，成功轉(zhuǎn)型為客戶導(dǎo)向型的公司，并在機械硬盤和固態(tài)硬盤實力大幅提升；第三階段是從2016完成對閃迪公司的收購后，西部數(shù)據(jù)旗下存儲產(chǎn)品變得更加多元化，產(chǎn)品逐漸向消費級移動芯片方向發(fā)展。一旦和東芝談攏，那么或許會迎來自己的第四次轉(zhuǎn)型。而且將和三星形成更多的競爭機會。

　　當然，三星在NAND芯片市場的能力還是有目共睹的。根據(jù)產(chǎn)業(yè)研究公司IC Insights出具的最新分析報告，DRAM和NAND芯片的全球銷售額可望創(chuàng)下歷史新高，而韓國芯片廠可望成為這波產(chǎn)業(yè)榮景的最大受益者。急漲的芯片平均出貨價格（ASP）是銷售額締造佳績的主要原因，DRAM和NAND芯片價格自2016年下半年開始起漲，并逐季成長至今年上半年。今年第二季DRAM芯片平均出貨價格較去年第三季大漲16.8%，NAND芯片價格在這段期間內(nèi)則上漲11.6%。雖然我們的手機廠商的出貨量在全球都位居前列，但是我們的廠商在上游產(chǎn)業(yè)鏈方面一直受到“壓制”，究其緣由就是因為我們在上游芯片市場沒有自己的話語權(quán)和技術(shù)儲備，受轄制就在所難免，在這方面，蘋果不斷地扶持更多的上游廠商也是有意在規(guī)避受到三星的影響，畢竟二者在手機終端產(chǎn)品上也是直接競爭關(guān)系，而三星無疑是最大的受益者，即使在手機市場本身沒有獲得絕對的優(yōu)勢，但是在供應(yīng)鏈市場的領(lǐng)先地位是短時期內(nèi)無人能夠撼動的。