DRAM和NAND的價(jià)格在2016年下半年開(kāi)始上漲，并持續(xù)到2017年上半年.。從3Q16至2Q17，DRAM內(nèi)存芯片的平均銷售價(jià)格上漲了16.8%;NAND閃存芯片的價(jià)格則在同期上漲了11.6%。
圖：全球DRAM和NAND存儲(chǔ)芯片的季度平均銷售價(jià)格。(IC Insights, 2017.07)
隨著DRAM的ASP自2016年第三季度開(kāi)始大幅增長(zhǎng)，DRAM廠商再次加大了對(duì)這一領(lǐng)域的支出。然而，這些支出大部分投資在技術(shù)而非擴(kuò)張產(chǎn)能。
IC Insights認(rèn)為，2017年基本上所有的閃存支出都將用于3D NAND閃存技術(shù)，而不是平面閃存。預(yù)計(jì)今年NAND閃存資本支出將大幅增長(zhǎng)，同時(shí)三星將在韓國(guó)平澤的大型新晶圓廠擴(kuò)大3D NAND生產(chǎn)。
在內(nèi)存市場(chǎng)中，過(guò)多的資本支出通常會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩以及隨之而來(lái)的降價(jià)。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/ SanDisk和XMC /長(zhǎng)江存儲(chǔ)均計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)大幅提升3D NAND閃存的產(chǎn)能，同時(shí)還有其他的中國(guó)生產(chǎn)商可能進(jìn)入市場(chǎng)。未來(lái)幾年內(nèi)3D NAND閃存供過(guò)于求的可能性非常高。
IC Insights調(diào)查，DRAM的季度平均銷售價(jià)增長(zhǎng)率在4Q16達(dá)到頂峰，但在今年第二季度繼續(xù)呈強(qiáng)勁上漲態(tài)勢(shì)。預(yù)計(jì)DRAM平均銷售價(jià)將在3Q17持續(xù)上升，但在4Q17開(kāi)始下降。
即便是DRAM內(nèi)存芯片的平均銷售價(jià)格漲幅預(yù)計(jì)將在今年下半年放緩，DRAM內(nèi)存芯片的年平均銷售價(jià)格增速仍預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到63%。這也是IC Insights自1993年統(tǒng)計(jì)該項(xiàng)數(shù)據(jù)以來(lái)，年度漲幅最大的一年。歷史上，DRAM的平均銷售價(jià)在1997年以57%的年增率創(chuàng)下歷史高點(diǎn);而NAND則預(yù)計(jì)在2017年以33%的ASP年增長(zhǎng)率創(chuàng)下記錄。
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