采用TSV技術制造的器件具有垂直電極和貫穿硅芯片模的通孔以提供連接，這種結構在降低功耗的同時，可實現高速數據輸入和輸出。其實際性能在之前推出東芝二維NAND閃存時已得到驗證。
結合48層3D閃存制程和TSV技術，使東芝內存公司能夠成功增加產品程序設計帶寬，同時獲致低功耗。單一封裝的功率效率是采用引線接合技術制造的同一代BiCS FLASH閃存功率效率的近兩倍。TSV BiCS FLASH還在單一封裝內實現了具有16顆粒堆棧式結構的1TB存儲設備。
東芝內存公司將推動采用TSV技術的BiCS FLASH的商業(yè)化，為包括高階企業(yè)級SSD在內的儲存應用提供理想的低延遲、高帶寬和高IOPS/watt解決方案。
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