? 東芝（Toshiba）旗下的存儲與電子元器件解決方案公司日前發(fā)布采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅動光電耦合器TLP5832，該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅動中級IGBT。
東芝（Toshiba）旗下的存儲與電子元器件解決方案公司日前發(fā)布采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅動光電耦合器TLP5832，該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅動中級IGBT。
新IC采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8（LF1選項）封裝的現(xiàn)有產(chǎn)品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時有助于實現(xiàn)芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應用。
此外，該新型柵極驅動光電耦合器可在–40至+110攝氏度的全部工作溫度范圍內(nèi)保證傳輸延遲和傳輸偏差?？赏ㄟ^降低溫度裕度實現(xiàn)逆變器電路的高效設計。
據(jù)Gartner統(tǒng)計，2016年東芝相關產(chǎn)品占有23%的銷售市場份額。
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