聯(lián)電廈門廠聯(lián)芯于去年底投產(chǎn)，主要采用40nm工藝，此次升級至28nm工藝將可提升其技術(shù)層次，加快搶攻手機芯片代工市場業(yè)務。
臺晶圓代工廠聯(lián)電(UMC)日前表示其28納米(28nm)工藝授予轉(zhuǎn)投資廈門子公司聯(lián)芯集成電路制造公司已獲批準，預估今年第二季聯(lián)芯的28nm即可量產(chǎn)，將供應國內(nèi)手機市場。
聯(lián)電廈門廠聯(lián)芯于去年底投產(chǎn)，主要采用40nm工藝，此次升級至28nm工藝將可提升其技術(shù)層次，加快搶攻手機芯片代工市場業(yè)務。聯(lián)芯預估28nm在今年第二季量產(chǎn)后，月產(chǎn)能將從現(xiàn)有的1.1萬片擴展至1.6萬片。
在28nm技術(shù)轉(zhuǎn)移至聯(lián)芯后，聯(lián)電自主研發(fā)的下一代14nm鰭式場效晶體管(FinFET)技術(shù)也宣布已進入客戶芯片量產(chǎn)階段。該公司表示，出貨給主要客戶的14nm量產(chǎn)晶圓，良率已達高度先進制程的業(yè)界競爭水準，并將運用于開拓嶄新的消費電子產(chǎn)品應用。
聯(lián)電14nm FinFET工藝速度較28奈米增快55%，閘密度則達兩倍，此外，功耗亦較28奈米減少約50%。此14奈米客戶芯片現(xiàn)正于聯(lián)華電子臺南的Fab 12A晶圓廠生產(chǎn)中，未來將因應客戶需求，穩(wěn)步擴充其14nm產(chǎn)能。
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