常見的絕緣選擇， 像FullPAK或采用絕緣材料的標(biāo)準(zhǔn)TO封裝，其價(jià)格昂貴，較難加工。此外，它們不足以滿足最新推出的大功率密度IGBT的散熱需求。TRENCHSTOP™ Advanced Isolation具有與標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝同樣的尺寸，但100%絕緣。不過，無需使用絕緣箔或?qū)峁柚?。得益于從IGBT晶圓到散熱器有效可靠的散熱路徑，該全新封裝具備更大功率密度。它提高了可靠性，并降低了系統(tǒng)和制造成本。

　　由于不再需要使用絕緣材料和導(dǎo)熱硅脂，設(shè)計(jì)人員可以將裝配時(shí)間縮短達(dá)35%。與此同時(shí)，其通過消除錯(cuò)位箔片提高了可靠性。該全新封裝的熱阻(Rth)比TO-247 FullPak低50%，比采用絕緣箔的標(biāo)準(zhǔn)TO-247低35%。這些改進(jìn)都轉(zhuǎn)變成性能提升，相比采用FullPak封裝，工作溫度降低10° C。相比采用絕緣箔的標(biāo)準(zhǔn)TO-247，使用TRENCHSTOP™ Advanced Isolation封裝可將系統(tǒng)效率提高0.2個(gè)百分點(diǎn)。

　　另外，該封裝具有僅38 pF的低耦合電容，這意味著抗電磁干擾(EMI)性能更佳，并有可能使用較小的濾波器。改進(jìn)散熱特性還有助于提高可靠性，其原因在于IGBT可在較低溫度下工作，這可減輕對(duì)元器件的壓力。工作溫度降低還可減小散熱器件的尺寸，這有助于節(jié)省系統(tǒng)成本。另外，由于散熱要求有所降低，設(shè)計(jì)人員也可以選擇更高的設(shè)計(jì)裕度，實(shí)現(xiàn)更高功率密度。