格羅方德公司(Globalfoundries)日前宣布已經(jīng)運用14納米FinFET工藝在硅晶片上實現(xiàn)了長距離56Gbps SerDes性能。新的FX-14是格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列之一，而新開發(fā)的56Gbps SerDes是針對需要提高功率和性能的客戶所設(shè)計，能應(yīng)對嚴苛的長距離高性能應(yīng)用需求。
 
　　新的56Gbps SerDes 內(nèi)核同時支援 PAM4 和 NRZ 信號傳導(dǎo)，可補償超過 35dB 的插入損耗，因而無須在目前極具挑戰(zhàn)性的系統(tǒng)內(nèi)容中部署昂貴的高功耗中繼器。56Gbps SerDes采用突破性的創(chuàng)新架構(gòu)，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的長距離傳輸性能，甚至超越了OIF CEI-56G-LR 和 IEEE 802.3cd等新興的 50Gbps行業(yè)標準。
 
　　FX-14 產(chǎn)品可提供多種高速 SerDes (HSS) 解決方案，其制造基礎(chǔ)是位于紐約州馬爾他市 Fab 8 工廠內(nèi)的成熟且經(jīng)生產(chǎn)驗證的 14納米FinFET (14LPP) 平臺。 一流的高性能56Gbps架構(gòu)可提供業(yè)界領(lǐng)先的抖動性能和均衡支援，可在多種高速介面標準下強化系統(tǒng)性能，并可為當前及未來的頂尖網(wǎng)路、計算和存儲應(yīng)用構(gòu)建高速連接和低功耗的解決方案。
 
　　格羅方德全球銷售和業(yè)務(wù)開發(fā)部高級副總裁Mike Cadigan指出，新的ASIC方案將為嚴苛的網(wǎng)路和資料中心應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)56Gbps性能。結(jié)合該公司14LPP技術(shù)，新方將將提高下一代網(wǎng)路設(shè)備的頻寬容量、可擴充性和能效。
 
　　格羅方德 FX-14 設(shè)計系統(tǒng)憑借著56Gbps SerDes、PCI Express和多個30Gbps SerDes 設(shè)計，以及支援多種外置記憶體介面，進一步強化了在 HSS 方面的領(lǐng)導(dǎo)地位。目前格羅方德的嵌入式記憶體解決方案包括高度和低功耗的嵌入式TCAM，與前代產(chǎn)品相比，其性能提高60%，漏電率降低80%，而SRAM 的密度和性能也有所優(yōu)化。
 
　　目前，客戶正在設(shè)計基于 14LPP 工藝技術(shù)的高級 ASIC 解決方案，該方案使用 56Gbps 和其他 FX-14 SerDes 內(nèi)核。 56Gbps SerDes技術(shù)目前正在客戶管道中展示，而開發(fā)板將于2017年第一季度初投放市場。 針對下一代資料通信網(wǎng)路，格羅方德正在開發(fā)易于遷移的先進電氣解決方案和光學(xué)替代解決方案，以便讓多種技術(shù)實現(xiàn)112Gbps及以上的通信能力。